Intel e Micron deixam de desenvolver memórias Nand em conjunto

Acordo não afetará a cadência de seus respectivos desenvolvimentos.

Intel e Micron anunciaram mudanças na parceria que ajudou a trazer soluções NAND líderes de mercado. As duas companhias irão trabalhar de forma independente nas futuras gerações do 3D NAND assim que a terceira geração estiver pronta para chegar ao mercado – o que está previsto para acontecer entre o fim ano e no início de 2019. A decisão deve ajudar a otimizar a tecnologia e os produtos para que cada uma possa atingir seus os objetivos de negócios.

Segundo a Intel e a Micron, esse novo acordo não afetará a cadência de seus respectivos desenvolvimentos. Atualmente, elas estão criando produtos baseados na segunda geração de tecnologia 3D NAND de 64 camadas.

Elas também continuarão a desenvolver e fabricar juntas, por meio da Intel-Micron Flash Technologies (IMFT), a tecnologia de memória não volátil 3D XPoint(tm). A unidade da joint venture localizada em Lehi, no estado de Utah, passa a focar totalmente suas atividades a partir de agora na produção desta tecnologia.

“A parceria da Micron com a Intel vem de longa data e esperamos continuar trabalhando juntas em outros projetos enquanto cada uma segue seus próprios caminhos em relação ao desenvolvimento da tecnologia NAND”, disse Scott DeBoer, vice-presidente executivo de Desenvolvimento de Tecnologia da Micron. “Temos um roadmap forte e pretendemos trazer produtos altamente competitivos para o mercado com base em nossa tecnologia 3D NAND líder na indústria.”

“A parceria entre Intel e Micron foi bem-sucedida e beneficiou ambas as companhias. Alcançamos um ponto no desenvolvimento da NAND que se mostra como o momento certo para que as empresas se foquem em seus mercados”, afirmou Rob Crooke, vice-presidente sênior e gerente-geral da divisão de Memórias Não-Voláteis da Intel. “Nossa linha de soluções em 3D NAND e Optane(tm) oferece aos nossos clientes soluções poderosas para suas necessidades de computação e armazenamento.”